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MTS位移传感器的设计结构理论

点击次数:837 发布时间:2013/12/31
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MTS位移传感器的设计结构理论
MTS-0005 RHM0225MP151S2G6100
MTS-0006 RHM0150MP011S2G6100
MTS-0007 RHM0165MP151S2G6100
MTS-0008 RHM0330MD631P102
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MTS-0010 RHN0150MRG01A01
MTS-0011 RHM0260MP051S2G4100
MTS-0012 LHMR002M01301A0
MTS-0036 RHM0130MP071S1B6100(10米电缆)
MTS-0037 RHM0570MP051S1B1100(SSI接口)
MTS-0038 RHM0470MP051S1B1100
MTS-0039 RHM0100MD631P102
MTS-0040 RHM0060NP051S1B8100
MTS-0041 RHM0200MD601A01
MTS-0042 370423 STC0913D06PG9 母接头
MTS-0043 370427 STC09131H06PG9 公接头  MTS位移传感器的设计结构理论 磁致伸缩指一些金属(如铁或镍),在磁场作用下具有伸缩能力,伸缩的效果是非常细微的。一般的镍铁合金是30ppm,但现在科学界已设计出更新的物质,将磁致伸缩的效果提升至1500ppm以上。
  磁致伸缩的原理并不复杂,是利用两个不同的磁场相交时产生一个应变脉冲信号,然后计算这个信号被探测的时间周期,从而换算出准确的位置。这两个磁场一个来自活动磁铁,另一个来自传感器头的电子部件产生的电流脉冲。这个询问信号脉冲沿着传感器内以磁致伸缩材料制成的波导管,以声音的速度运行。当两个磁场相交时,波导管产生磁致伸缩现象,产生一个应变脉冲。这个返回信号脉冲很快被电子头的感测电路探测到。从产生询问信号的一刻到返回信号被探测到所需的时间周期乘以固定的声音速度,便能准确的计算出磁铁的位置变动。这个过程是连续不断的,所以每当活动磁铁被带动时,新的位置就会被很快的感测出来。
MTS磁致伸缩位移传感器的高精度及可靠性已被成千上万的应用案例所印证。传感器利用非接触技术监测活动磁铁的位移,由于磁铁和传感器并无直接接触,因此传感器在极其恶劣的工业环境下,如易受油渍、溶液、尘埃或其他的污染,并不构成问题。此外,传感器更能承受高温、高压和高振荡的环境。
MTS位移传感器的设计结构理论

 
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